Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > 1N8024-GA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
58240641N8024-GA ImagineGeneSiC Semiconductor

1N8024-GA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$201.88
10+
$192.137
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    1N8024-GA
  • Producator / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    1N8024-GA.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.74V @ 750mA
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    1200V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-257
  • Viteză
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    0ns
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-257-3
  • Alte nume
    1242-1111
    1N8024GA
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 250°C
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    18 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipul de diodă
    Silicon Carbide Schottky
  • descriere detaliata
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 750mA Through Hole TO-257
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    10µA @ 1200V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    750mA
  • Capacitate @ Vr, F
    66pF @ 1V, 1MHz
  • Numărul părții de bază
    1N8024

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „1N8024-GA”.
1N821UR-1

1N821UR-1

Descriere: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N8165US

1N8165US

Descriere: TVS DIODE 33V 53.6V

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N8035-GA

1N8035-GA

Descriere: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Descriere: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N821AUR

1N821AUR

Descriere: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N8028-GA

1N8028-GA

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
1N8031-GA

1N8031-GA

Descriere: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
1N8033-GA

1N8033-GA

Descriere: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
1N8034-GA

1N8034-GA

Descriere: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
1N821

1N821

Descriere: DIODE ZENER DO35

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N8026-GA

1N8026-GA

Descriere: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
1N822

1N822

Descriere: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N821A

1N821A

Descriere: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Descriere: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N8030-GA

1N8030-GA

Descriere: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
1N8032-GA

1N8032-GA

Descriere: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

Descriere: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N8149

1N8149

Descriere: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N8182

1N8182

Descriere: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N821-1

1N821-1

Descriere: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.