Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > US1J-E3/5AT
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
904599US1J-E3/5AT ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

US1J-E3/5AT

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
7500+
$0.098
15000+
$0.089
37500+
$0.083
52500+
$0.077
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    US1J-E3/5AT
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.US1J-E3/5AT.pdf
    2.US1J-E3/5AT.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.7V @ 1A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    600V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    DO-214AC (SMA)
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    75ns
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    DO-214AC, SMA
  • Alte nume
    US1J-E3/5AT-ND
    US1J-E3/5ATGITR
    US1JE35AT
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    10µA @ 600V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    1A
  • Capacitate @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Numărul părții de bază
    US1J

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „US1J-E3/5AT”.
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1J-13

US1J-13

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1GHM2G

US1GHM2G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1GWF-7

US1GWF-7

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
US1J/1

US1J/1

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
US1J R3G

US1J R3G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
US1GHR3G

US1GHR3G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

Descriere: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1JFA

US1JFA

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
US1JFL-TP

US1JFL-TP

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1JE-TP

US1JE-TP

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1J-13-F

US1J-13-F

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.