Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SUG80050E-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5004344SUG80050E-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SUG80050E-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$5.96
10+
$5.317
100+
$4.36
500+
$3.531
1000+
$2.978
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SUG80050E-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SUG80050E-GE3.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-247AC
  • Serie
    ThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.4 mOhm @ 20A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    500W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3
  • Alte nume
    SUG80050E-GE3CT
    SUG80050E-GE3CT-ND
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    6250pF @ 75V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    165nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    7.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    150V
  • descriere detaliata
    N-Channel 150V 100A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SUG80050E-GE3”.
DMP2066LSN-7

DMP2066LSN-7

Descriere: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
FDA79N15

FDA79N15

Descriere: MOSFET N-CH 150V 79A TO-3P

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQI6N40CTU

FQI6N40CTU

Descriere: MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
MMFT2N02ELT1

MMFT2N02ELT1

Descriere: MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
STP26NM60ND

STP26NM60ND

Descriere: MOSFET N-CH 600V 21A TO220

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
TK12A60U(Q,M)

TK12A60U(Q,M)

Descriere: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
SPW11N80C3FKSA1

SPW11N80C3FKSA1

Descriere: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SUG90090E-GE3

SUG90090E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
DMP510DL-7

DMP510DL-7

Descriere: MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
FQU6P25TU

FQU6P25TU

Descriere: MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SUGRU-003

SUGRU-003

Descriere: MAKE EVERYTHING MAGNETIC-SUGRU

Producători: Pimoroni
In stoc
RFQ
N0300P-T1B-AT

N0300P-T1B-AT

Descriere: TRANSISTOR

Producători: Renesas Electronics America
In stoc
RFQ
IRFR3707

IRFR3707

Descriere: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
PSMN1R5-40ES,127

PSMN1R5-40ES,127

Descriere: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
STB24NM60N

STB24NM60N

Descriere: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
SI5419DU-T1-GE3

SI5419DU-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BSC12DN20NS3GATMA1

BSC12DN20NS3GATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SUGRU-002

SUGRU-002

Descriere: SUGRU (8 PACK)

Producători: Pimoroni
In stoc
RFQ
FDB8441

FDB8441

Descriere: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SUGRU-001

SUGRU-001

Descriere: SUGRU (3 PACK)

Producători: Pimoroni
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.