Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SQV120N06-4M7L_GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
904318

SQV120N06-4M7L_GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
500+
$1.947
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SQV120N06-4M7L_GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
  • Foi de date
    SQV120N06-4M7L_GE3.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-262-3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 30A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    250W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    8800pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    230nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SQV120N06-4M7L_GE3”.
BFL4001-1E

BFL4001-1E

Descriere: MOSFET N-CH 900V 4.1A

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRLR7821PBF

IRLR7821PBF

Descriere: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
APT7F100B

APT7F100B

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
FDB2614

FDB2614

Descriere: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRFS4115-7PPBF

IRFS4115-7PPBF

Descriere: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
R5016ANJTL

R5016ANJTL

Descriere: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SUP85N02-03-E3

SUP85N02-03-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF8736TRPBF

IRF8736TRPBF

Descriere: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRFB7446GPBF

IRFB7446GPBF

Descriere: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB70N10SL16ATMA1

IPB70N10SL16ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
TSM80N950CI C0G

TSM80N950CI C0G

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
STP100NF04

STP100NF04

Descriere: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
FCMT199N60

FCMT199N60

Descriere: MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SPP18P06PHKSA1

SPP18P06PHKSA1

Descriere: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRF7457TRPBF

IRF7457TRPBF

Descriere: MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SQP90142E_GE3

SQP90142E_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2307-TP

SI2307-TP

Descriere: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
NVD6495NLT4G-VF01

NVD6495NLT4G-VF01

Descriere: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SQV120N10-3M8_GE3

SQV120N10-3M8_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.