Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SQM120P06-07L_GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4663552SQM120P06-07L_GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SQM120P06-07L_GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$3.58
10+
$3.198
100+
$2.623
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SQM120P06-07L_GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 60V 120A TO263
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SQM120P06-07L_GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-263 (D2Pak)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.7 mOhm @ 30A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    375W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    SQM120P06-07L_GE3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    14280pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    270nC @ 10V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    P-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SQM120P06-07L_GE3”.
SQM120N06-06_GE3

SQM120N06-06_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQM120P04-04L_GE3

SQM120P04-04L_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQM120N10-09_GE3

SQM120N10-09_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQM200JB-0R18

SQM200JB-0R18

Descriere: RES WW 2W 5% TH

Producători: Yageo
In stoc
RFQ
SQM200JB-0R13

SQM200JB-0R13

Descriere: RES WW 2W 5% TH

Producători: Yageo
In stoc
RFQ
SQM120N04-1M4L_GE3

SQM120N04-1M4L_GE3

Descriere: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQM200JB-0R15

SQM200JB-0R15

Descriere: RES WW 2W 5% TH

Producători: Yageo
In stoc
RFQ
SQM200JB-0R12

SQM200JB-0R12

Descriere: RES WW 2W 5% TH

Producători: Yageo
In stoc
RFQ
SQM120N06-3M5L_GE3

SQM120N06-3M5L_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQM120N04-1M7L_GE3

SQM120N04-1M7L_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQM120N04-1M9_GE3

SQM120N04-1M9_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQM200JB-0R2

SQM200JB-0R2

Descriere: RES WW 2W 5% TH

Producători: Yageo
In stoc
RFQ
SQM120P10_10M1LGE3

SQM120P10_10M1LGE3

Descriere: MOSFET P-CH 100V 120A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQM200JB-0R22

SQM200JB-0R22

Descriere: RES WW 2W 5% TH

Producători: Yageo
In stoc
RFQ
SQM200JB-0R1

SQM200JB-0R1

Descriere: RES WW 2W 5% TH

Producători: Yageo
In stoc
RFQ
SQM200JB-0R11

SQM200JB-0R11

Descriere: RES WW 2W 5% TH

Producători: Yageo
In stoc
RFQ
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 120A TO-263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQM200JB-0R16

SQM200JB-0R16

Descriere: RES WW 2W 5% TH

Producători: Yageo
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.