Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SQJ951EP-T1_GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2688822SQJ951EP-T1_GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJ951EP-T1_GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.618
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SQJ951EP-T1_GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SQJ951EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Putere - Max
    56W
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Alte nume
    SQJ951EP-T1-GE3
    SQJ951EP-T1-GE3-ND
    SQJ951EP-T1_GE3-ND
    SQJ951EP-T1_GE3TR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1680pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 30A 56W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    30A

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SQJ951EP-T1_GE3”.
SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ941EP-T1-GE3

SQJ941EP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ980AEP-T1_GE3

SQJ980AEP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ974EP-T1_GE3

SQJ974EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ886EP-T1_GE3

SQJ886EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ958EP-T1_GE3

SQJ958EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 8A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ946EP-T1_GE3

SQJ946EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ952EP-T1_GE3

SQJ952EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ962EP-T1-GE3

SQJ962EP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ942EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 150V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ990EP-T1_GE3

SQJ990EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.