Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SQJ481EP-T1_GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2327503SQJ481EP-T1_GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJ481EP-T1_GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.398
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SQJ481EP-T1_GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CHAN 80V POWERPAK SO-8L
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SQJ481EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 10A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    45W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-PowerTDFN
  • Alte nume
    SQJ481EP-T1_GE3TR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    80V
  • descriere detaliata
    P-Channel 80V 16A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SQJ481EP-T1_GE3”.
SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ469EP-T1_GE3

SQJ469EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ464EP-T1_GE3

SQJ464EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ479EP-T1_GE3

SQJ479EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 80V 32A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ500EP

SQJ500EP

Descriere: MOSFET N/P-CH 40V DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 40V 30A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ474EP-T1_GE3

SQJ474EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 26A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ560EP-T1_GE3

SQJ560EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ476EP-T1_GE3

SQJ476EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 23A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ844AEP-T1_GE3

SQJ844AEP-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ461EP-T1_GE3

SQJ461EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 60V 30A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ504EP-T1_GE3

SQJ504EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ486EP-T1_GE3

SQJ486EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ500EPTR

SQJ500EPTR

Descriere: MOSFET N/P-CH 40V DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.