Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SQJ422EP-T1_GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3742960SQJ422EP-T1_GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJ422EP-T1_GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.87
10+
$1.652
100+
$1.306
500+
$1.013
1000+
$0.80
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SQJ422EP-T1_GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SQJ422EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 mOhm @ 18A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    83W (Tc)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8
  • Alte nume
    SQJ422EP-T1_GE3DKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    4660pF @ 20V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    40V
  • descriere detaliata
    N-Channel 40V 74A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    74A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SQJ422EP-T1_GE3”.
SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ456EP-T1_GE3

SQJ456EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ444EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ433EP-T1_GE3

SQJ433EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 75A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ446EP-T1_GE3

SQJ446EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 200V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ454EP-T1_GE3

SQJ454EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 13A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQJ431EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 200V SO8L

Producători: Vishay Siliconix
In stoc
RFQ
SQJ420EP-T1_GE3

SQJ420EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSOL

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.