Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SQD100N03-3M4_GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5418208SQD100N03-3M4_GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SQD100N03-3M4_GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2000+
$0.761
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SQD100N03-3M4_GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
  • Foi de date
    SQD100N03-3M4_GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-252AA
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 mOhm @ 20A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    136W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    7349pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    124nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SQD100N03-3M4_GE3”.
SQD15N06-42L_GE3

SQD15N06-42L_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 15A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD25N06-22L_T4GE3

SQD25N06-22L_T4GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD100N04-3M6_GE3

SQD100N04-3M6_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD25N06-22L_GE3

SQD25N06-22L_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 25A TO252

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD07N25-350H_GE3

SQD07N25-350H_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD40081EL_GE3

SQD40081EL_GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 40V TO252

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD100N03-3M2L_GE3

SQD100N03-3M2L_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD19P06-60L_GE3

SQD19P06-60L_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD10N30-330H_GE3

SQD10N30-330H_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD19P06-60L_T4GE3

SQD19P06-60L_T4GE3

Descriere: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD40131EL_GE3

SQD40131EL_GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD40030E_GE3

SQD40030E_GE3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD25N15-52_GE3

SQD25N15-52_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 150V 25A TO252

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD40061EL_GE3

SQD40061EL_GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 40V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 30V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD100N02-3M5L_GE3

SQD100N02-3M5L_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQD100N04-3M6L_GE3

SQD100N04-3M6L_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.