Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SIZ980DT-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
145513SIZ980DT-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIZ980DT-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.95
10+
$1.726
100+
$1.364
500+
$1.058
1000+
$0.835
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIZ980DT-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
  • Foi de date
    SIZ980DT-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-PowerPair®
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V
  • Putere - Max
    20W, 66W
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    8-PowerWDFN
  • Alte nume
    SIZ980DT-T1-GE3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual), Schottky
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20W, 66W Surface Mount 8-PowerPair®
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc), 60A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIZ980DT-T1-GE3”.
SIZ920DT-T1-GE3

SIZ920DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ720DT-T1-GE3

SIZ720DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ900DT-T1-GE3

SIZ900DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ916DT-T1-GE3

SIZ916DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ926DT-T1-GE3

SIZ926DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ710DT-T1-GE3

SIZ710DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ902DT-T1-GE3

SIZ902DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ988DT-T1-GE3

SIZ988DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ914DT-T1-GE3

SIZ914DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ918DT-T1-GE3

SIZ918DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZF906ADT-T1-GE3

SIZF906ADT-T1-GE3

Descriere: MOSFET DUAL N-CHAN 30V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZF916DT-T1-GE3

SIZF916DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH DUAL 30V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ910DT-T1-GE3

SIZ910DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ730DT-T1-GE3

SIZ730DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ728DT-T1-GE3

SIZ728DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ704DT-T1-GE3

SIZ704DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ998DT-T1-GE3

SIZ998DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIZ790DT-T1-GE3

SIZ790DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.