Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SISS40DN-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1727280SISS40DN-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SISS40DN-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.58
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SISS40DN-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SISS40DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Serie
    ThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21 mOhm @ 10A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-PowerVDFN
  • Alte nume
    SISS40DN-T1-GE3TR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    845pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    6V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 36.5A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    36.5A (Tc)

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SISS40DN-T1-GE3”.
SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 150V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISNAP915DK

SISNAP915DK

Descriere: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 125V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SISNAP915EK

SISNAP915EK

Descriere: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.