Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIS448DN-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5423813SIS448DN-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS448DN-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIS448DN-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SIS448DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.6 mOhm @ 10A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® 1212-8
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1575pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIS448DN-T1-GE3”.
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS496EDNT-T1-GE3

SIS496EDNT-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS476DN-T1-GE3

SIS476DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS468DN-T1-GE3

SIS468DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS472ADN-T1-GE3

SIS472ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS454DN-T1-GE3

SIS454DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIS456DN-T1-GE3

SIS456DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.