Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIRA60DP-T1-RE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6742294

SIRA60DP-T1-RE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
6000+
$0.655
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIRA60DP-T1-RE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
  • Foi de date
    SIRA60DP-T1-RE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.94 mOhm @ 20A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    57W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    7650pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    125nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 100A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIRA60DP-T1-RE3”.
SIRA72DP-T1-GE3

SIRA72DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA66DP-T1-GE3

SIRA66DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 30V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA80DP-T1-RE3

SIRA80DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA90DP-T1-GE3

SIRA90DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA64DP-T1-GE3

SIRA64DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA88DP-T1-GE3

SIRA88DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 45.5A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA90DP-T1-RE3

SIRA90DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA64DP-T1-RE3

SIRA64DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA58DP-T1-GE3

SIRA58DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA52DP-T1-RE3

SIRA52DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.