Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIRA14DP-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6908975SIRA14DP-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIRA14DP-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.83
10+
$0.728
100+
$0.561
500+
$0.416
1000+
$0.333
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIRA14DP-T1-GE3
  • Producator / Marca
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.1 mOhm @ 10A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8
  • Alte nume
    SIRA14DP-T1-GE3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1450pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 58A (Tc) 3.6W (Ta), 31.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    58A (Tc)
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 30V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 30V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși