Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIR172DP-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5033860SIR172DP-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR172DP-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.90
10+
$0.788
100+
$0.608
500+
$0.45
1000+
$0.36
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIR172DP-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SIR172DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.9 mOhm @ 16.1A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    29.8W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8
  • Alte nume
    SIR172DP-T1-GE3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    997pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 20A (Tc) 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIR172DP-T1-GE3”.
SIR184DP-T1-RE3

SIR184DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR166DP-T1-GE3

SIR166DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR172ADP-T1-GE3

SIR172ADP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producători: Vishay Siliconix
In stoc
RFQ
SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR182DP-T1-RE3

SIR182DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR1B6B4

SIR1B6B4

Descriere: SOLID STATE RELAY

Producători: Hamlin / Littelfuse
In stoc
RFQ
SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR186DP-T1-RE3

SIR186DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR1C20B6

SIR1C20B6

Descriere: SOLID STATE RELAY

Producători: Hamlin / Littelfuse
In stoc
RFQ
SIR19-21C/TR8

SIR19-21C/TR8

Descriere: EMITTER IR 875NM 65MA 0603

Producători: Everlight Electronics
In stoc
RFQ
SIR204-A

SIR204-A

Descriere: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Producători: Everlight Electronics
In stoc
RFQ
SIR180DP-T1-RE3

SIR180DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR168DP-T1-GE3

SIR168DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR19-315/TR8

SIR19-315/TR8

Descriere: EMITTER IR 870NM 70MA 0603

Producători: Everlight Electronics
In stoc
RFQ
SIR188DP-T1-RE3

SIR188DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 60V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.