Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIJA72ADP-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2915762

SIJA72ADP-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.456
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIJA72ADP-T1-GE3
  • Producator / Marca
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.42 mOhm @ 10A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8
  • Alte nume
    SIJA72ADP-T1-GE3TR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    42 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2530pF @ 20V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    40V
  • descriere detaliata
    N-Channel 40V 27.9A (Ta), 96A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    27.9A (Ta), 96A (Tc)
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
IRFU3607-701PBF

IRFU3607-701PBF

Descriere: MOSFET N CH 75V 56A IPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
AUIRF3205

AUIRF3205

Descriere: MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
IRL5602STRR

IRL5602STRR

Descriere: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
IRLI610ATU

IRLI610ATU

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI1433DH-T1-GE3

SI1433DH-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși