Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIHG40N60E-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1537713SIHG40N60E-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHG40N60E-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$7.92
10+
$7.129
100+
$5.861
500+
$4.911
1000+
$4.277
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIHG40N60E-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SIHG40N60E-GE3.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-247AC
  • Serie
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75 mOhm @ 20A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    329W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    4436pF @ 100V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    197nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 40A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIHG40N60E-GE3”.
SIHG32N50D-E3

SIHG32N50D-E3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG460B-GE3

SIHG460B-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG47N60EF-GE3

SIHG47N60EF-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG32N50D-GE3

SIHG32N50D-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG47N60E-GE3

SIHG47N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Producători: Vishay Siliconix
In stoc
RFQ
SIHG44N65EF-GE3

SIHG44N65EF-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG33N60E-E3

SIHG33N60E-E3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG47N65E-GE3

SIHG47N65E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG33N65EF-GE3

SIHG33N65EF-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG47N60AEL-GE3

SIHG47N60AEL-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 600V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG35N60E-GE3

SIHG35N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG47N60AE-GE3

SIHG47N60AE-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG61N65EF-GE3

SIHG61N65EF-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG64N65E-GE3

SIHG64N65E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.