Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIHD4N80E-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3407801SIHD4N80E-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHD4N80E-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$2.03
10+
$1.835
100+
$1.475
500+
$1.147
1000+
$0.95
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIHD4N80E-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SIHD4N80E-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D-PAK (TO-252AA)
  • Serie
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.27 Ohm @ 2A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    69W (Tc)
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    622pF @ 100V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    800V
  • descriere detaliata
    N-Channel 800V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4.3A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIHD4N80E-GE3”.
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Producători: Vishay Siliconix
In stoc
RFQ
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB33N60ET5-GE3

SIHB33N60ET5-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Producători: Vishay Siliconix
In stoc
RFQ
SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.