Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SIHB21N65EF-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6165363SIHB21N65EF-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHB21N65EF-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$5.88
50+
$4.725
100+
$4.305
500+
$3.486
1000+
$2.94
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIHB21N65EF-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SIHB21N65EF-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 11A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    208W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2322pF @ 100V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    106nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    650V
  • descriere detaliata
    N-Channel 650V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    21A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIHB21N65EF-GE3”.
SIHB16N50C-E3

SIHB16N50C-E3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Producători: Vishay Siliconix
In stoc
RFQ
SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 600V

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Producători: Vishay Siliconix
In stoc
RFQ
SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60S-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB15N60E-GE3

SIHB15N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Producători: Vishay Siliconix
In stoc
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB18N60E-GE3

SIHB18N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB15N65E-GE3

SIHB15N65E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB22N60E-E3

SIHB22N60E-E3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.