Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SIF912EDZ-T1-E3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4357171

SIF912EDZ-T1-E3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIF912EDZ-T1-E3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SIF912EDZ-T1-E3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® (2x5)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
  • Putere - Max
    1.6W
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® 2x5
  • Alte nume
    SIF912EDZ-T1-E3TR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    7.4A
  • Numărul părții de bază
    SIF912E

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIF912EDZ-T1-E3”.
2N7002BKV,115

2N7002BKV,115

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
APTM50DUM38TG

APTM50DUM38TG

Descriere: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ALD114904PAL

ALD114904PAL

Descriere: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Producători: Advanced Linear Devices, Inc.
In stoc
RFQ
APTM100VDA35T3G

APTM100VDA35T3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
IRF7104PBF

IRF7104PBF

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
NX3020NAKVYL

NX3020NAKVYL

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
SIF902EDZ-T1-E3

SIF902EDZ-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI1016X-T1-E3

SI1016X-T1-E3

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SH8M70TB1

SH8M70TB1

Descriere: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
SIZ910DT-T1-GE3

SIZ910DT-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIFS-1

SIFS-1

Descriere: CBL CLAMP BUNDLE WHITE FASTENER

Producători: 3M
In stoc
RFQ
IRF7351PBF

IRF7351PBF

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
FDMD8260LET60

FDMD8260LET60

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 15A

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRF7756TRPBF

IRF7756TRPBF

Descriere: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SQ1912EH-T1_GE3

SQ1912EH-T1_GE3

Descriere: MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NSTJD1155LT1G

NSTJD1155LT1G

Descriere: MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SI7224DN-T1-GE3

SI7224DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.