Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SIB911DK-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2818796SIB911DK-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SIB911DK-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SIB911DK-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SIB911DK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Putere - Max
    3.1W
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Alte nume
    SIB911DK-T1-GE3TR
    SIB911DKT1GE3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    115pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 8V
  • Tipul FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.6A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2.6A
  • Numărul părții de bază
    SIB911

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SIB911DK-T1-GE3”.
SIB800EDK-T1-GE3

SIB800EDK-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIBF-05-F-S-AD

SIBF-05-F-S-AD

Descriere: .050 SIBF ASSEMBLY

Producători: Samtec, Inc.
In stoc
RFQ
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIB911DK-T1-E3

SIB911DK-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIBF-20-F-S-AD

SIBF-20-F-S-AD

Descriere: .050 SIBF ASSEMBLY

Producători: Samtec, Inc.
In stoc
RFQ
SIB488DK-T1-GE3

SIB488DK-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIB900EDK-T1-GE3

SIB900EDK-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIB455EDK-T1-GE3

SIB455EDK-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIBF-10-F-S-AD

SIBF-10-F-S-AD

Descriere: .050 SIBF ASSEMBLY

Producători: Samtec, Inc.
In stoc
RFQ
SIB914DK-T1-GE3

SIB914DK-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIBF-25-F-S-AD

SIBF-25-F-S-AD

Descriere: .050 SIBF ASSEMBLY

Producători: Samtec, Inc.
In stoc
RFQ
SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.