Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI9933CDY-T1-E3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
625879

SI9933CDY-T1-E3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.76
10+
$0.663
100+
$0.512
500+
$0.379
1000+
$0.303
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI9933CDY-T1-E3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI9933CDY-T1-E3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
  • Putere - Max
    3.1W
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    SI9933CDY-T1-E3DKR
  • Temperatura de Operare
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    665pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4A
  • Numărul părții de bază
    SI9933

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI9933CDY-T1-E3”.
SI9926BDY-T1-GE3

SI9926BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9955DY

SI9955DY

Descriere: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9934BDY-T1-E3

SI9934BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9912DY-E3

SI9912DY-E3

Descriere: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9936BDY-T1-E3

SI9936BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9912DY-T1-E3

SI9912DY-T1-E3

Descriere: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9926CDY-T1-GE3

SI9926CDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9933BDY-T1-E3

SI9933BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9945AEY-T1

SI9945AEY-T1

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9910DY-E3

SI9910DY-E3

Descriere: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9910DY-T1-E3

SI9910DY-T1-E3

Descriere: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9913DY-T1-E3

SI9913DY-T1-E3

Descriere: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI9936DY

SI9936DY

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SI9936DY,518

SI9936DY,518

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1

Producători: NXP Semiconductors / Freescale
In stoc
RFQ
SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.