Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI8429DB-T1-E1
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2882485SI8429DB-T1-E1 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI8429DB-T1-E1

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.483
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI8429DB-T1-E1
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI8429DB-T1-E1.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    4-Microfoot
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    4-XFBGA, CSPBGA
  • Alte nume
    SI8429DB-T1-E1TR
    SI8429DBT1E1
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    33 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1640pF @ 4V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 5V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.2V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    8V
  • descriere detaliata
    P-Channel 8V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    11.7A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI8429DB-T1-E1”.
SI8423BB-D-ISR

SI8423BB-D-ISR

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8430AB-D-IS

SI8430AB-D-IS

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8423BB-D-IS

SI8423BB-D-IS

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8424DB-T1-E1

SI8424DB-T1-E1

Descriere: MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI8430AB-D-ISR

SI8430AB-D-ISR

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8430BB-C-IS1

SI8430BB-C-IS1

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8430AB-C-IS1

SI8430AB-C-IS1

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8430AB-C-IS1R

SI8430AB-C-IS1R

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8430-C-IS

SI8430-C-IS

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8423BD-B-IS

SI8423BD-B-IS

Descriere: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8424CDB-T1-E1

SI8424CDB-T1-E1

Descriere: MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI8430AB-D-IS1R

SI8430AB-D-IS1R

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8425DB-T1-E1

SI8425DB-T1-E1

Descriere: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI8423BD-D-ISR

SI8423BD-D-ISR

Descriere: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8430AB-D-IS1

SI8430AB-D-IS1

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8430-B-IS

SI8430-B-IS

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8423BD-D-IS

SI8423BD-D-IS

Descriere: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8423BD-B-ISR

SI8423BD-B-ISR

Descriere: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8430-A-IS

SI8430-A-IS

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI8423BB-B-ISR

SI8423BB-B-ISR

Descriere: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.