Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI7792DP-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5437323SI7792DP-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7792DP-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI7792DP-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI7792DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    SkyFET®, TrenchFET® Gen III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.1 mOhm @ 20A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    4.735nF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    135nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    Schottky Diode (Body)
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 40.6A (Ta), 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    40.6A (Ta), 60A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI7792DP-T1-GE3”.
SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7802DN-T1-E3

SI7802DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7790DP-T1-GE3

SI7790DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7812DN-T1-E3

SI7812DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7794DP-T1-GE3

SI7794DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7738DP-T1-E3

SI7738DP-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.