Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI7658ADP-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4309896SI7658ADP-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7658ADP-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$3.48
10+
$3.109
100+
$2.55
500+
$2.065
1000+
$1.741
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI7658ADP-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI7658ADP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 mOhm @ 20A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8
  • Alte nume
    SI7658ADP-T1-GE3DKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    27 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    4590pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI7658ADP-T1-GE3”.
SI7664DP-T1-E3

SI7664DP-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7655DN-T1-GE3

SI7655DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7661CJ+

SI7661CJ+

Descriere: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Producători: Maxim Integrated
In stoc
RFQ
SI7664DP-T1-GE3

SI7664DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7661CSA+

SI7661CSA+

Descriere: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Producători: Maxim Integrated
In stoc
RFQ
SI7634BDP-T1-GE3

SI7634BDP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7635DP-T1-GE3

SI7635DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7668ADP-T1-GE3

SI7668ADP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7661DJ

SI7661DJ

Descriere: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Producători: Maxim Integrated
In stoc
RFQ
SI7636DP-T1-E3

SI7636DP-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7661CSA+T

SI7661CSA+T

Descriere: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Producători: Maxim Integrated
In stoc
RFQ
SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7661ESA+

SI7661ESA+

Descriere: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Producători: Maxim Integrated
In stoc
RFQ
SI7661ESA+T

SI7661ESA+T

Descriere: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Producători: Maxim Integrated
In stoc
RFQ
SI7636DP-T1-GE3

SI7636DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7668ADP-T1-E3

SI7668ADP-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7655ADN-T1-GE3

SI7655ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.