Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI7540DP-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1578868SI7540DP-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7540DP-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI7540DP-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI7540DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
  • Putere - Max
    1.4W
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Alte nume
    SI7540DP-T1-GE3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N and P-Channel
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    12V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array N and P-Channel 12V 7.6A, 5.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    7.6A, 5.7A
  • Numărul părții de bază
    SI7540

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI7540DP-T1-GE3”.
SI7620DN-T1-GE3

SI7620DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7601DN-T1-E3

SI7601DN-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7611DN-T1-GE3

SI7611DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7540DP-T1-E3

SI7540DP-T1-E3

Descriere: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7491DP-T1-GE3

SI7491DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7489DP-T1-GE3

SI7489DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7501DN-T1-E3

SI7501DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7601DN-T1-GE3

SI7601DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7491DP-T1-E3

SI7491DP-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7530DP-T1-E3

SI7530DP-T1-E3

Descriere: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7540ADP-T1-GE3

SI7540ADP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N/P-CH POWERPAK8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7501DN-T1-GE3

SI7501DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7495DP-T1-GE3

SI7495DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7495DP-T1-E3

SI7495DP-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.