Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI7252DP-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4963955SI7252DP-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7252DP-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$2.57
10+
$2.322
100+
$1.866
500+
$1.451
1000+
$1.202
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI7252DP-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI7252DP-T1-GE3.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 15A, 10V
  • Putere - Max
    46W
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Alte nume
    SI7252DP-T1-GE3DKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1170pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 36.7A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    36.7A
  • Numărul părții de bază
    SI7252

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI7252DP-T1-GE3”.
SI7236DP-T1-GE3

SI7236DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI72XX-EVAL-KIT

SI72XX-EVAL-KIT

Descriere: SI72XX HALL EFFECT MAGNETIC SENS

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI7224DN-T1-GE3

SI7224DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7302DN-T1-GE3

SI7302DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7228DN-T1-GE3

SI7228DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7230DN-T1-GE3

SI7230DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7236DP-T1-E3

SI7236DP-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7309DN-T1-E3

SI7309DN-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7308DN-T1-GE3

SI7308DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7234DP-T1-GE3

SI7234DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7232DN-T1-GE3

SI7232DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI72XX-WD-KIT

SI72XX-WD-KIT

Descriere: DEMO AND DEVELOPMENT KIT FOR SI7

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI7308DN-T1-E3

SI7308DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7270DP-T1-GE3

SI7270DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7230DN-T1-E3

SI7230DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7302DN-T1-E3

SI7302DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7223DN-T1-GE3

SI7223DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7224DN-T1-E3

SI7224DN-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.