Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI7123DN-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5010608SI7123DN-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7123DN-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.496
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI7123DN-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI7123DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.6 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.5W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    PowerPAK® 1212-8
  • Alte nume
    SI7123DN-T1-GE3TR
    SI7123DNT1GE3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3729pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    90nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.8V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    P-Channel 20V 10.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    10.2A (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI7123DN-T1-GE3”.
SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7121DN-T1-GE3

SI7121DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7116DN-T1-GE3

SI7116DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7119DN-T1-E3

SI7119DN-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7119DN-T1-GE3

SI7119DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7139DP-T1-GE3

SI7139DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7120DN-T1-E3

SI7120DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7141DP-T1-GE3

SI7141DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7137DP-T1-GE3

SI7137DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7135DP-T1-GE3

SI7135DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7138DP-T1-GE3

SI7138DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7120DN-T1-GE3

SI7120DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7117DN-T1-E3

SI7117DN-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7120ADN-T1-GE3

SI7120ADN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7143DP-T1-GE3

SI7143DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7136DP-T1-GE3

SI7136DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7136DP-T1-E3

SI7136DP-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7138DP-T1-E3

SI7138DP-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.