Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI6562CDQ-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2652836SI6562CDQ-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI6562CDQ-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.25
10+
$1.111
100+
$0.878
500+
$0.681
1000+
$0.538
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI6562CDQ-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI6562CDQ-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-TSSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
  • Putere - Max
    1.6W, 1.7W
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Alte nume
    SI6562CDQ-T1-GE3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipul FET
    N and P-Channel
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    6.7A, 6.1A
  • Numărul părții de bază
    SI6562

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI6562CDQ-T1-GE3”.
SI6562DQ-T1-GE3

SI6562DQ-T1-GE3

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6924AEDQ-T1-E3

SI6924AEDQ-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6562DQ-T1-E3

SI6562DQ-T1-E3

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6466ADQ-T1-E3

SI6466ADQ-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6469DQ-T1-GE3

SI6469DQ-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6544BDQ-T1-E3

SI6544BDQ-T1-E3

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6466ADQ-T1-GE3

SI6466ADQ-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6473DQ-T1-E3

SI6473DQ-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6469DQ-T1-E3

SI6469DQ-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6913DQ-T1-E3

SI6913DQ-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6467BDQ-T1-E3

SI6467BDQ-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6925ADQ-T1-E3

SI6925ADQ-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6926ADQ-T1-GE3

SI6926ADQ-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6467BDQ-T1-GE3

SI6467BDQ-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6926ADQ-T1-E3

SI6926ADQ-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6913DQ-T1-GE3

SI6913DQ-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6544BDQ-T1-GE3

SI6544BDQ-T1-GE3

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6473DQ-T1-GE3

SI6473DQ-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6924AEDQ-T1-GE3

SI6924AEDQ-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI6925ADQ-T1-GE3

SI6925ADQ-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.