Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI5402DC-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6700331SI5402DC-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI5402DC-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI5402DC-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI5402DC-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    1206-8 ChipFET™
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 4.9A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.3W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SMD, Flat Lead
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4.9A (Ta)

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI5402DC-T1-GE3”.
SI5403DC-T1-GE3

SI5403DC-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5411EDU-T1-GE3

SI5411EDU-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5397M-A-GM

SI5397M-A-GM

Descriere: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI5414DC-T1-GE3

SI5414DC-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5397K-A-GM

SI5397K-A-GM

Descriere: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI5406DC-T1-E3

SI5406DC-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5401DC-T1-E3

SI5401DC-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5404BDC-T1-E3

SI5404BDC-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5402DC-T1-E3

SI5402DC-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5397J-A-GM

SI5397J-A-GM

Descriere: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5397L-A-GM

SI5397L-A-GM

Descriere: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI5402BDC-T1-E3

SI5402BDC-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5410DU-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5415AEDU-T1-GE3

SI5415AEDU-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5406DC-T1-GE3

SI5406DC-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5401DC-T1-GE3

SI5401DC-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5397D-A-GM

SI5397D-A-GM

Descriere: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI5406CDC-T1-GE3

SI5406CDC-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.