Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI4947ADY-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6680145

SI4947ADY-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI4947ADY-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI4947ADY-T1-GE3.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 3.9A, 10V
  • Putere - Max
    1.2W
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    SI4947ADY-T1-GE3TR
    SI4947ADYT1GE3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 5V
  • Tipul FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3A 1.2W Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    3A
  • Numărul părții de bază
    SI4947

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI4947ADY-T1-GE3”.
SI4963BDY-T1-E3

SI4963BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4944DY-T1-GE3

SI4944DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4953ADY-T1-GE3

SI4953ADY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4946CDY-T1-GE3

SI4946CDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4952DY-T1-E3

SI4952DY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4953ADY-T1-E3

SI4953ADY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4943CDY-T1-GE3

SI4943CDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4943CDY-T1-E3

SI4943CDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4965DY-T1-GE3

SI4965DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4947ADY-T1-E3

SI4947ADY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4946BEY-T1-GE3

SI4946BEY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4944DY-T1-E3

SI4944DY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4965DY-T1-E3

SI4965DY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.