Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI4816DY-T1-E3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5971271

SI4816DY-T1-E3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI4816DY-T1-E3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI4816DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 6.3A, 10V
  • Putere - Max
    1W, 1.25W
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    SI4816DY-T1-E3DKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 5V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    5.3A, 7.7A
  • Numărul părții de bază
    SI4816

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI4816DY-T1-E3”.
SI4820-A10-CUR

SI4820-A10-CUR

Descriere: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4823DY-T1-GE3

SI4823DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4808DY-T1-E3

SI4808DY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4820-A10-CU

SI4820-A10-CU

Descriere: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4823DY-T1-E3

SI4823DY-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4824-A10-CU

SI4824-A10-CU

Descriere: IC RCVR AM/FM/SW MECH 24-SSOP

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4816DY-T1-GE3

SI4816DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4822-A10-CUR

SI4822-A10-CUR

Descriere: IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4804CDY-T1-E3

SI4804CDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4822-A10-CU

SI4822-A10-CU

Descriere: IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.