Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI4464DY-T1-E3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4789483

SI4464DY-T1-E3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.535
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI4464DY-T1-E3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI4464DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.5W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    SI4464DY-T1-E3TR
    SI4464DYT1E3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    6V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 200V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI4464DY-T1-E3”.
SI4464-B1B-FMR

SI4464-B1B-FMR

Descriere: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4468-A2A-IMR

SI4468-A2A-IMR

Descriere: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4468-A2A-IM

SI4468-A2A-IM

Descriere: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4463-B1B-FM

SI4463-B1B-FM

Descriere: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4465ADY-T1-E3

SI4465ADY-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4464-B1X-FM

SI4464-B1X-FM

Descriere: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4466DY-T1-E3

SI4466DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4463-C2A-GM

SI4463-C2A-GM

Descriere: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4463-C2A-GMR

SI4463-C2A-GMR

Descriere: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4463-B1B-FMR

SI4463-B1B-FMR

Descriere: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4465ADY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4467-A2A-IMR

SI4467-A2A-IMR

Descriere: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4464-B1B-FM

SI4464-B1B-FM

Descriere: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4463BDY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4467-A2A-IM

SI4467-A2A-IM

Descriere: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.