Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI4388DY-T1-E3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2206898

SI4388DY-T1-E3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI4388DY-T1-E3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI4388DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 8A, 10V
  • Putere - Max
    3.3W, 3.5W
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    SI4388DY-T1-E3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    946pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET Feature
    Standard
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10.7A, 11.3A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    10.7A, 11.3A
  • Numărul părții de bază
    SI4388

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI4388DY-T1-E3”.
SI4390DY-T1-E3

SI4390DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4384DY-T1-GE3

SI4384DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4398DY-T1-E3

SI4398DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4362BDY-T1-E3

SI4362BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4398DY-T1-GE3

SI4398DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4396DY-T1-GE3

SI4396DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4386DY-T1-GE3

SI4386DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4401BDY-T1-GE3

SI4401BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4378DY-T1-GE3

SI4378DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4390DY-T1-GE3

SI4390DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4362BDY-T1-GE3

SI4362BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4378DY-T1-E3

SI4378DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4396DY-T1-E3

SI4396DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4384DY-T1-E3

SI4384DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4388DY-T1-GE3

SI4388DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4368DY-T1-GE3

SI4368DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.