Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI4276DY-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6084489

SI4276DY-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI4276DY-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI4276DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15.3 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Putere - Max
    3.6W, 2.8W
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    SI4276DY-T1-GE3TR
    SI4276DYT1GE3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1000pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Numărul părții de bază
    SI4276

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI4276DY-T1-GE3”.
SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4226DY-T1-GE3

SI4226DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4286DY-T1-GE3

SI4286DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4300T-B-BM

SI4300T-B-BM

Descriere: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4311-B12-GMR

SI4311-B12-GMR

Descriere: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4230DY-T1-GE3

SI4230DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4300-EVB

SI4300-EVB

Descriere: BOARD EVAL FOR SI4300

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4276DY-T1-E3

SI4276DY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4311-B12-GM

SI4311-B12-GM

Descriere: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4228DY-T1-E3

SI4228DY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4212-TRDX-EVB

SI4212-TRDX-EVB

Descriere: KIT EVAL DAUGHT CARD FOR SI4212

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4311-B10-GM

SI4311-B10-GM

Descriere: IC RX FSK 315/434MHZ 20VQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4226DY-T1-E3

SI4226DY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4310BDY-T1-E3

SI4310BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

Producători: Vishay Siliconix
In stoc
RFQ
SI4311-B21-GM

SI4311-B21-GM

Descriere: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4300-E-BM

SI4300-E-BM

Descriere: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.