Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI4102DY-T1-E3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
841223

SI4102DY-T1-E3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI4102DY-T1-E3
  • Producator / Marca
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    158 mOhm @ 2.7A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    370pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    6V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 3.8A (Tc) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    3.8A (Tc)
SI4062DY-T1-GE3

SI4062DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI4112-D-GMR

SI4112-D-GMR

Descriere: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28MLP

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI4063-B1B-FMR

SI4063-B1B-FMR

Descriere: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI4063-C2A-GM

SI4063-C2A-GM

Descriere: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI4063-C2A-GMR

SI4063-C2A-GMR

Descriere: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI4112-BT

SI4112-BT

Descriere: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI4063-B0B-FM

SI4063-B0B-FM

Descriere: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI4112-D-GM

SI4112-D-GM

Descriere: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI4112-BM

SI4112-BM

Descriere: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI4063-B1B-FM

SI4063-B1B-FM

Descriere: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
SI4110DY-T1-GE3

SI4110DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși