Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > SI3586DV-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6005347SI3586DV-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3586DV-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI3586DV-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI3586DV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    6-TSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Putere - Max
    830mW
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Alte nume
    SI3586DV-T1-GE3TR
    SI3586DVT1GE3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N and P-Channel
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2.9A, 2.1A
  • Numărul părții de bază
    SI3586

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI3586DV-T1-GE3”.
SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3500-A-GM

SI3500-A-GM

Descriere: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI3812DV-T1-GE3

SI3812DV-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3529DV-T1-GE3

SI3529DV-T1-GE3

Descriere: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3831DV-T1-E3

SI3831DV-T1-E3

Descriere: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3805DV-T1-E3

SI3805DV-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3831DV-T1-GE3

SI3831DV-T1-GE3

Descriere: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3500-A-GMR

SI3500-A-GMR

Descriere: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

Descriere: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3588DV-T1-GE3

SI3588DV-T1-GE3

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3812DV-T1-E3

SI3812DV-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.