Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI3464DV-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1600784SI3464DV-T1-GE3 ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3464DV-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.241
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI3464DV-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI3464DV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    6-TSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2W (Ta), 3.6W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Alte nume
    SI3464DV-T1-GE3TR
    SI3464DVT1GE3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    27 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1065pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.8V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI3464DV-T1-GE3”.
SI3473DDV-T1-GE3

SI3473DDV-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3462-EVB

SI3462-EVB

Descriere: BOARD EVAL POE PSE SGL PORT

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI3469DV-T1-GE3

SI3469DV-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3469DV-T1-E3

SI3469DV-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3461-E02-GM

SI3461-E02-GM

Descriere: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI3465DV-T1-E3

SI3465DV-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3467DV-T1-E3

SI3467DV-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3465DV-T1-GE3

SI3465DV-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3461-E01-GM

SI3461-E01-GM

Descriere: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI3467DV-T1-GE3

SI3467DV-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3462-E01-GM

SI3462-E01-GM

Descriere: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI3460DV-T1-E3

SI3460DV-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3473DV-T1-E3

SI3473DV-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3460DV-T1-GE3

SI3460DV-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3473CDV-T1-E3

SI3473CDV-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3462-E01-GMR

SI3462-E01-GMR

Descriere: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI3461-KIT

SI3461-KIT

Descriere: BOARD EVAL FOR SI3461

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI3461-E01-GMR

SI3461-E01-GMR

Descriere: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.