Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI2377EDS-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
46770

SI2377EDS-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.169
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI2377EDS-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI2377EDS-T1-GE3.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    61 mOhm @ 3.2A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    SI2377EDS-T1-GE3TR
    SI2377EDST1GE3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    21nC @ 8V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.5V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    P-Channel 20V 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4.4A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI2377EDS-T1-GE3”.
SI2400-FS

SI2400-FS

Descriere: IC ISOMODEM SYST-SIDE DAA 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2401-FS

SI2401-FS

Descriere: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2351DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2400-BS

SI2400-BS

Descriere: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2366DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2401-FSR

SI2401-FSR

Descriere: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2392DS-T1-GE3

SI2392DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2400-KS

SI2400-KS

Descriere: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2401FS08-EVB

SI2401FS08-EVB

Descriere: BOARD EVAL SI2401 + SI3008

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2400URT-EVB

SI2400URT-EVB

Descriere: BOARD EVAL FOR SI2400 ISOMODEM

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2372DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.