Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI2336DS-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1619333

SI2336DS-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.62
10+
$0.521
100+
$0.391
500+
$0.287
1000+
$0.222
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI2336DS-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI2336DS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42 mOhm @ 3.8A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    SI2336DS-T1-GE3DKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    560pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 8V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.8V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 5.2A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    5.2A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI2336DS-T1-GE3”.
SI2333-TP

SI2333-TP

Descriere: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2337DS-T1-E3

SI2337DS-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Producători: Vishay Siliconix
In stoc
RFQ
SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2331DS-T1-GE3

SI2331DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2335DS-T1-GE3

SI2335DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2335DS-T1-E3

SI2335DS-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2334DS-T1-GE3

SI2334DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2341DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2341DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

Descriere: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.