Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI2301BDS-T1-GE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5473496

SI2301BDS-T1-GE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.62
10+
$0.521
100+
$0.391
500+
$0.287
1000+
$0.222
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI2301BDS-T1-GE3
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    SI2301BDS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    700mW (Ta)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    SI2301BDS-T1-GE3CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    33 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    375pF @ 6V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2.5V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    P-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2.2A (Ta)

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI2301BDS-T1-GE3”.
SI2196-A10-GM

SI2196-A10-GM

Descriere: IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2302DDS-T1-GE3

SI2302DDS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2185-A10-GMR

SI2185-A10-GMR

Descriere: IC ATV/DTV TUNER HYBRID 48-QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI21832-B60-GMR

SI21832-B60-GMR

Descriere: RF DEMODULATOR IC 68QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2302-TP

SI2302-TP

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
SI2196-A10-GMR

SI2196-A10-GMR

Descriere: IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2302ADS-T1

SI2302ADS-T1

Descriere: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI21832-A55-GMR

SI21832-A55-GMR

Descriere: IC DEMODULATOR ISDB-T 68QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2302ADS-T1-E3

SI2302ADS-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2185-A10-GM

SI2185-A10-GM

Descriere: IC ATV/DTV TUNER HYBRID 48-QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2300DS-T1-GE3

SI2300DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2302A-TP

SI2302A-TP

Descriere: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
SI2301-TP

SI2301-TP

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
SI2302ADS-T1-GE3

SI2302ADS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2301BDS-T1-E3

SI2301BDS-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI21832-B60-GM

SI21832-B60-GM

Descriere: RF DEMODULATOR IC 68QFN

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.