Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IRFBE20PBF
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2502737IRFBE20PBF ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

IRFBE20PBF

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.61
50+
$1.284
100+
$1.124
500+
$0.872
1000+
$0.688
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IRFBE20PBF
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.IRFBE20PBF.pdf
    2.IRFBE20PBF.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    54W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Alte nume
    *IRFBE20PBF
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    18 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    530pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    800V
  • descriere detaliata
    N-Channel 800V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IRFBE20PBF”.
IRFBC40PBF

IRFBC40PBF

Descriere: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBE30STRL

IRFBE30STRL

Descriere: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBE30S

IRFBE30S

Descriere: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBE30LPBF

IRFBE30LPBF

Descriere: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBC40STRLPBF

IRFBC40STRLPBF

Descriere: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBE20STRR

IRFBE20STRR

Descriere: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBC40LCSTRR

IRFBC40LCSTRR

Descriere: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBE30PBF

IRFBE30PBF

Descriere: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBE20L

IRFBE20L

Descriere: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

Descriere: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBE30

IRFBE30

Descriere: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBE20

IRFBE20

Descriere: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBE20S

IRFBE20S

Descriere: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBE20STRL

IRFBE20STRL

Descriere: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBE30SPBF

IRFBE30SPBF

Descriere: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBC40S

IRFBC40S

Descriere: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBC40STRR

IRFBC40STRR

Descriere: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBC40SPBF

IRFBC40SPBF

Descriere: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBE30L

IRFBE30L

Descriere: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFBC40LPBF

IRFBC40LPBF

Descriere: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.