Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > IRF610STRLPBF
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5500708IRF610STRLPBF ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

IRF610STRLPBF

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
800+
$1.016
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    IRF610STRLPBF
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    IRF610STRLPBF.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D2PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 2A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    3W (Ta), 36W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    18 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    140pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    8.2nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 200V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    3.3A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „IRF610STRLPBF”.
IRF614S

IRF614S

Descriere: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF610STRL

IRF610STRL

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF610

IRF610

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF614STRL

IRF614STRL

Descriere: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF614STRR

IRF614STRR

Descriere: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF610STRRPBF

IRF610STRRPBF

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF60R217

IRF60R217

Descriere: MOSFET N-CH 60V 58A

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRF6100

IRF6100

Descriere: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRF614

IRF614

Descriere: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF610PBF

IRF610PBF

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF610LPBF

IRF610LPBF

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF614SPBF

IRF614SPBF

Descriere: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF6100PBF

IRF6100PBF

Descriere: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRF610SPBF

IRF610SPBF

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF614STRRPBF

IRF614STRRPBF

Descriere: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF614PBF

IRF614PBF

Descriere: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF610S

IRF610S

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF614L

IRF614L

Descriere: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-262

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF610STRR

IRF610STRR

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRF610L

IRF610L

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.