Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > 1N4448-T
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
34701261N4448-T ImagineElectro-Films (EFI) / Vishay

1N4448-T

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    1N4448-T
  • Producator / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1N4448-T.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1V @ 10mA
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    75V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    DO-35
  • Viteză
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    4ns
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Alte nume
    1N4448-TGI
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 75V 500mA Through Hole DO-35
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    5µA @ 75V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    500mA
  • Capacitate @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „1N4448-T”.
1N4448-A

1N4448-A

Descriere: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
1N4448

1N4448

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Descriere: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
1N4448 BK

1N4448 BK

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producători: Central Semiconductor
In stoc
RFQ
1N4448-TP

1N4448-TP

Descriere: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
1N4448 A0G

1N4448 A0G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Descriere: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

Descriere: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Descriere: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

Descriere: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
1N4448 TR

1N4448 TR

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producători: Central Semiconductor Corp
In stoc
RFQ
1N4448TAP

1N4448TAP

Descriere: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
1N4448,113

1N4448,113

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Producători: NXP Semiconductors / Freescale
In stoc
RFQ
1N4448,133

1N4448,133

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
1N4447TR

1N4447TR

Descriere: DIODE GEN PURP 100V DO35

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
1N4448HWT-7

1N4448HWT-7

Descriere: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
1N4448

1N4448

Descriere: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N4448,143

1N4448,143

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producători: NXP Semiconductors / Freescale
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.