Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > ZXMN6A25GTA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5770917ZXMN6A25GTA ImagineDiodes Incorporated

ZXMN6A25GTA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1000+
$0.518
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ZXMN6A25GTA
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V SOT223
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    ZXMN6A25GTA.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-261-4, TO-261AA
  • Alte nume
    ZXMN6A25GTATR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1063pF @ 30V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    20.4nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 4.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4.8A (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ZXMN6A25GTA”.
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMP10A16KTC

ZXMP10A16KTC

Descriere: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

Descriere: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Descriere: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMP10A17E6QTA

ZXMP10A17E6QTA

Descriere: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Descriere: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Descriere: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Descriere: MOSFET N-CH 60V 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA

Descriere: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.