Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > ZXMN3A04DN8TA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6300409ZXMN3A04DN8TA ImagineDiodes Incorporated

ZXMN3A04DN8TA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$2.06
10+
$1.857
100+
$1.493
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ZXMN3A04DN8TA
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    ZXMN3A04DN8TA.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 12.6A, 10V
  • Putere - Max
    1.81W
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    ZXMN3A04DN8CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1890pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    36.8nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 1.81W Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    6.5A

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ZXMN3A04DN8TA”.
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Descriere: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Descriere: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Descriere: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Descriere: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.