Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > ZXMN2B01FTA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2034446ZXMN2B01FTA ImagineDiodes Incorporated

ZXMN2B01FTA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.142
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ZXMN2B01FTA
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    ZXMN2B01FTA.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    625mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    ZXMN2B01FTR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    370pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    4.8nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.8V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    N-Channel 20V 2.1A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2.1A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ZXMN2B01FTA”.
ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A14FTA

ZXMN2A14FTA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2AM832TA

ZXMN2AM832TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Descriere: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Descriere: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A02X8TC

ZXMN2A02X8TC

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A03E6TC

ZXMN2A03E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2AMCTA

ZXMN2AMCTA

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A03E6TA

ZXMN2A03E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A05N8TA

ZXMN2A05N8TA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A02X8TA

ZXMN2A02X8TA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.