Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > ZXMN2A01FTA
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3308430ZXMN2A01FTA ImagineDiodes Incorporated

ZXMN2A01FTA

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.55
10+
$0.46
100+
$0.345
500+
$0.253
1000+
$0.196
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ZXMN2A01FTA
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    ZXMN2A01FTA.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    625mW (Ta)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    ZXMN2A01FDKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    33 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    303pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    3nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2.5V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    N-Channel 20V 1.9A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.9A (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ZXMN2A01FTA”.
ZXMN2A14FTA

ZXMN2A14FTA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A03E6TC

ZXMN2A03E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2069FTA

ZXMN2069FTA

Descriere: MOSFET N-CH SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N8TA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A05N8TA

ZXMN2A05N8TA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A01E6TC

ZXMN2A01E6TC

Descriere: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC

Descriere: MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A03E6TA

ZXMN2A03E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A01FTC

ZXMN2A01FTC

Descriere: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A02X8TC

ZXMN2A02X8TC

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN15A27KTC

ZXMN15A27KTC

Descriere: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Descriere: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Descriere: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
ZXMN2A02X8TA

ZXMN2A02X8TA

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.