Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > US1B-13-F
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
7035126US1B-13-F ImagineDiodes Incorporated

US1B-13-F

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.46
10+
$0.346
100+
$0.215
500+
$0.147
1000+
$0.113
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    US1B-13-F
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    US1B-13-F.pdf
  • Modelul ECAD
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1V @ 1A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    100V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SMA
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    50ns
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    DO-214AC, SMA
  • Alte nume
    US1B-FDICT
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount SMA
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    5µA @ 100V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    1A
  • Capacitate @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz
  • Numărul părții de bază
    US1B

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „US1B-13-F”.
US1B/1

US1B/1

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1AHE3/61T

US1AHE3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1BHE3/5AT

US1BHE3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1AHE3_A/H

US1AHE3_A/H

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1B-M3/61T

US1B-M3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1BHE3_A/H

US1BHE3_A/H

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1AHM2G

US1AHM2G

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
US1BHE3/61T

US1BHE3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1B-E3/5AT

US1B-E3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1B R3G

US1B R3G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
US1B-E3/61T

US1B-E3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1AHE3/5AT

US1AHE3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1BFA

US1BFA

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
US1B-TP

US1B-TP

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
US1B-M3/5AT

US1B-M3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1AHE3_A/I

US1AHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
US1B M2G

US1B M2G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
US1AFA

US1AFA

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123FA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
US1AHR3G

US1AHR3G

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
US1B-13

US1B-13

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.