Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMT6010SCT
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1629012

DMT6010SCT

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.61
50+
$1.288
100+
$1.127
500+
$0.874
1000+
$0.69
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMT6010SCT
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CHA 60V 98A TO220
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    DMT6010SCT.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.2 mOhm @ 20A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.3W (Ta), 104W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Alte nume
    DMT6010SCTDI-5
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1940pF @ 30V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    36.3nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 98A (Tc) 2.3W (Ta), 104W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    98A (Tc)

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMT6010SCT”.
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Descriere: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Descriere: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

Descriere: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Descriere: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Descriere: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

Descriere: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

Descriere: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13

Descriere: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Descriere: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.